[국내] 저항 변화 메모리 소자, 그 제조 방법 및 구동 방법 / 황현상 / 10-2009-0134088 (2009-12-30)

[국내] 히터를 포함하는 저항 변화 메모리 소자, 이의 동작방법, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전자제품 / 황현상 / 10-2009-0106823 (2009-11-06)

[국내] 그래핀 제조방법 / 이병훈, 황현상, 조천흠 / 10-2009-0099611 (2009-10-20)

[JP] 산화물막과 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자, 및 이의 동작방법(Resistance RAM Having Oxide Layer and Solid Electrolyte Layer, and Method for Operating the Same) / 황현상, 윤재식 / 2009-158437 (2009-07-03)

[EP] 산화물막과 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자, 및 이의 동작방법(Resistance RAM Having Oxide Layer and Solid Electrolyte Layer, and Method for Operating the Same) / 황현상, 윤재식 / EP09164520.0 (2009-07-03)

[US] 산화물막과 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자, 및 이의 동작방법(Resistance RAM Having Oxide Layer and Solid Electrolyte Layer, and Method for Operating the Same) / 황현상, 윤재식 / 12/494,212 (2009-06-29)

[국내] 비휘발성 저항 변화 메모리 소자  / 황현상, 성동준 / 10-2009-0055732 (2009-06-23)

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[국내] 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법 / 황현상 / 10-2009-0058467 (2009-06-12)

[국내] 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 / 황현상 / 10-2009-0052469 (2009-06-12)

[국내] 나노스위치 / 이병훈, 황현상 / 10-2009-0040570 (2009-05-11)

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[국내] 선택소자 및 3차원 구조 저항 변화 메모리 소자를 갖는 저항 변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 소자 어레이 제조방법 / 황현상 / 2009-0035445 (2009-04-23)

[국내] 산화아연 나노선 물성제어 방법 / 맹종선, 김성현, 황현상, 이탁희 / 10-2009-0030833 (2009-04-09)

[국내] 3차원 구조를 갖는 저항 변화 메모리 소자, 저항변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 상기 소자 제조방법 / 황현상 / 2009-0018722 (2009-03-05)